SiC, IGBT സാങ്കേതികവിദ്യകൾ വേഗത്തിൽ പുരോഗമിക്കാൻ ഫിലിം കപ്പാസിറ്ററുകൾ സഹായിക്കുന്നു: YMIN കപ്പാസിറ്റർ ആപ്ലിക്കേഷൻ പരിഹാരങ്ങൾ

സമീപ വർഷങ്ങളിൽ, ഫോട്ടോവോൾട്ടെയ്ക് സ്റ്റോറേജ്, ഇലക്ട്രിക് വെഹിക്കിൾസ് (ഇവി) തുടങ്ങിയ പുതിയ ഊർജ്ജ വ്യവസായങ്ങളുടെ കുതിച്ചുയരുന്ന വികസനം ഡിസി-ലിങ്ക് കപ്പാസിറ്ററുകളുടെ ആവശ്യകതയിൽ കുത്തനെ വർദ്ധനവിന് കാരണമായി. ചുരുക്കത്തിൽ, സർക്യൂട്ടിൽ ഡിസി-ലിങ്ക് കപ്പാസിറ്ററുകൾ ഒരു പ്രധാന പങ്ക് വഹിക്കുന്നു. ബസ് അറ്റത്ത് ഉയർന്ന പൾസ് കറന്റുകൾ ആഗിരണം ചെയ്യാനും ബസ് വോൾട്ടേജ് സുഗമമാക്കാനും അവയ്ക്ക് കഴിയും, ഇത് IGBT, SiC MOSFET സ്വിച്ചുകൾ പ്രവർത്തന സമയത്ത് ഉയർന്ന പൾസ് കറന്റുകളുടെയും ക്ഷണിക വോൾട്ടേജുകളുടെയും പ്രതികൂല ഫലങ്ങളിൽ നിന്ന് സംരക്ഷിക്കപ്പെടുന്നുവെന്ന് ഉറപ്പാക്കുന്നു.

പുതിയ ഊർജ്ജ വാഹനങ്ങളുടെ ബസ് വോൾട്ടേജ് 400V ൽ നിന്ന് 800V ആയി വർദ്ധിക്കുന്നതിനാൽ, ഫിലിം കപ്പാസിറ്ററുകൾക്കുള്ള ആവശ്യം ഗണ്യമായി വർദ്ധിച്ചു. ഡാറ്റ അനുസരിച്ച്, DC-Link നേർത്ത-ഫിലിം കപ്പാസിറ്ററുകളെ അടിസ്ഥാനമാക്കിയുള്ള ഇലക്ട്രിക് ഡ്രൈവ് ഇൻവെർട്ടറുകളുടെ ഇൻസ്റ്റാൾ ചെയ്ത ശേഷി 2022 ൽ 5.1117 ദശലക്ഷം സെറ്റുകളിൽ എത്തി, ഇത് വൈദ്യുത നിയന്ത്രണത്തിന്റെ ഇൻസ്റ്റാൾ ചെയ്ത ശേഷിയുടെ 88.7% വരും. ടെസ്‌ല, നിഡെക് പോലുള്ള നിരവധി പ്രമുഖ ഇലക്ട്രിക് കൺട്രോൾ കമ്പനികളുടെ ഡ്രൈവ് ഇൻവെർട്ടറുകളെല്ലാം DC-Link ഫിലിം കപ്പാസിറ്ററുകൾ ഉപയോഗിക്കുന്നു, ഇത് ഇൻസ്റ്റാൾ ചെയ്ത ശേഷിയുടെ 82.9% വരും, കൂടാതെ ഇലക്ട്രിക് ഡ്രൈവ് വിപണിയിലെ മുഖ്യധാരാ തിരഞ്ഞെടുപ്പായി മാറിയിരിക്കുന്നു.

സിലിക്കൺ IGBT ഹാഫ്-ബ്രിഡ്ജ് ഇൻവെർട്ടറുകളിൽ, പരമ്പരാഗത ഇലക്ട്രോലൈറ്റിക് കപ്പാസിറ്ററുകൾ സാധാരണയായി DC ലിങ്കിൽ ഉപയോഗിക്കാറുണ്ടെന്ന് ഗവേഷണ പ്രബന്ധങ്ങൾ കാണിക്കുന്നു, എന്നാൽ ഇലക്ട്രോലൈറ്റിക് കപ്പാസിറ്ററുകളുടെ ഉയർന്ന ESR കാരണം വോൾട്ടേജ് സർജുകൾ സംഭവിക്കും. സിലിക്കൺ അടിസ്ഥാനമാക്കിയുള്ള IGBT സൊല്യൂഷനുകളുമായി താരതമ്യപ്പെടുത്തുമ്പോൾ, SiC MOSFET-കൾക്ക് ഉയർന്ന സ്വിച്ചിംഗ് ഫ്രീക്വൻസി ഉണ്ട്, അതിനാൽ ഹാഫ്-ബ്രിഡ്ജ് ഇൻവെർട്ടറിന്റെ DC ലിങ്കിലെ വോൾട്ടേജ് സർജ് ആംപ്ലിറ്റ്യൂഡ് കൂടുതലാണ്, ഇത് ഉപകരണ പ്രകടനത്തിലെ അപചയത്തിനോ കേടുപാടുകൾക്കോ ​​പോലും കാരണമായേക്കാം, കൂടാതെ ഇലക്ട്രോലൈറ്റിക് കപ്പാസിറ്ററുകളുടെ റെസൊണന്റ് ഫ്രീക്വൻസി 4kHz മാത്രമാണ്, ഇത് SiC MOSFET ഇൻവെർട്ടറുകളുടെ നിലവിലെ റിപ്പിൾ ആഗിരണം ചെയ്യാൻ പര്യാപ്തമല്ല.

അതുകൊണ്ടുതന്നെ, ഉയർന്ന വിശ്വാസ്യത ആവശ്യകതകളുള്ള ഇലക്ട്രിക് ഡ്രൈവ് ഇൻവെർട്ടറുകൾ, ഫോട്ടോവോൾട്ടെയ്ക് ഇൻവെർട്ടറുകൾ തുടങ്ങിയ ഡിസി ആപ്ലിക്കേഷനുകളിൽ,ഫിലിം കപ്പാസിറ്ററുകൾസാധാരണയായി തിരഞ്ഞെടുക്കപ്പെടുന്നു. അലുമിനിയം ഇലക്ട്രോലൈറ്റിക് കപ്പാസിറ്ററുകളുമായി താരതമ്യപ്പെടുത്തുമ്പോൾ, അവയുടെ പ്രകടന ഗുണങ്ങൾ ഉയർന്ന വോൾട്ടേജ് പ്രതിരോധം, കുറഞ്ഞ ESR, നോൺ-പോളാരിറ്റി, കൂടുതൽ സ്ഥിരതയുള്ള പ്രകടനം, ദൈർഘ്യമേറിയ ആയുസ്സ് എന്നിവയാണ്, അങ്ങനെ ശക്തമായ റിപ്പിൾ പ്രതിരോധവും കൂടുതൽ വിശ്വസനീയമായ സിസ്റ്റം രൂപകൽപ്പനയും കൈവരിക്കുന്നു.

നേർത്ത ഫിലിം കപ്പാസിറ്ററുകൾ ഉപയോഗിക്കുന്ന സിസ്റ്റങ്ങൾക്ക് SiC MOSFET-കളുടെ ഉയർന്ന ഫ്രീക്വൻസിയും കുറഞ്ഞ നഷ്ടവും പ്രയോജനപ്പെടുത്താനും നിഷ്ക്രിയ ഘടകങ്ങളുടെ വലുപ്പവും ഭാരവും കുറയ്ക്കാനും കഴിയും. 10kW സിലിക്കൺ അധിഷ്ഠിത IGBT ഇൻവെർട്ടറിന് 22 അലുമിനിയം ഇലക്ട്രോലൈറ്റിക് കപ്പാസിറ്ററുകൾ ആവശ്യമാണെന്നും 40kW SiC ഇൻവെർട്ടറിന് 8 നേർത്ത ഫിലിം കപ്പാസിറ്ററുകൾ മാത്രമേ ആവശ്യമുള്ളൂവെന്നും PCB ഏരിയയും വളരെയധികം കുറയുന്നുവെന്നും വോൾഫ്സ്പീഡ് ഗവേഷണം കാണിക്കുന്നു.

വിപണിയിലെ ആവശ്യകത കണക്കിലെടുത്ത്, YMIN ഇലക്ട്രോണിക്സ്ഫിലിം കപ്പാസിറ്ററുകളുടെ MDP പരമ്പര, SiC MOSFET, സിലിക്കൺ അധിഷ്ഠിത IGBT എന്നിവയുമായി പൊരുത്തപ്പെടുന്നതിന് നൂതന സാങ്കേതികവിദ്യയും ഉയർന്ന നിലവാരമുള്ള വസ്തുക്കളും ഉപയോഗിക്കുന്നു. MDP സീരീസ് കപ്പാസിറ്ററുകളിൽ കുറഞ്ഞ ESR, ഉയർന്ന പ്രതിരോധശേഷിയുള്ള വോൾട്ടേജ്, കുറഞ്ഞ ചോർച്ച കറന്റ്, ഉയർന്ന താപനില സ്ഥിരത എന്നിവ ഉൾപ്പെടുന്നു.

YMIN ഇലക്ട്രോണിക്സിന്റെ ഫിലിം കപ്പാസിറ്റർ ഉൽപ്പന്നങ്ങളുടെ പ്രയോജനങ്ങൾ:

YMIN ഇലക്ട്രോണിക്സിന്റെ ഫിലിം കപ്പാസിറ്റർ ഡിസൈൻ, സ്വിച്ചിംഗ് സമയത്ത് വോൾട്ടേജ് സമ്മർദ്ദവും ഊർജ്ജ നഷ്ടവും കുറയ്ക്കുന്നതിനും സിസ്റ്റം ഊർജ്ജ കാര്യക്ഷമത മെച്ചപ്പെടുത്തുന്നതിനുമായി കുറഞ്ഞ ESR ആശയം സ്വീകരിക്കുന്നു. ഇതിന് ഉയർന്ന റേറ്റുചെയ്ത വോൾട്ടേജ് ഉണ്ട്, ഉയർന്ന വോൾട്ടേജ് പരിതസ്ഥിതികളുമായി പൊരുത്തപ്പെടുന്നു, കൂടാതെ സിസ്റ്റം സ്ഥിരത ഉറപ്പാക്കുന്നു.

MDP സീരീസ് കപ്പാസിറ്ററുകൾക്ക് 1uF-500uF ശേഷി പരിധിയും 500V മുതൽ 1500V വരെ വോൾട്ടേജ് ശ്രേണിയുമുണ്ട്. അവയ്ക്ക് കുറഞ്ഞ ചോർച്ച കറന്റും ഉയർന്ന താപനില സ്ഥിരതയുമുണ്ട്. ഉയർന്ന നിലവാരമുള്ള മെറ്റീരിയലുകളിലൂടെയും നൂതന പ്രക്രിയകളിലൂടെയും, ഉയർന്ന താപനിലയിൽ സ്ഥിരതയുള്ള പ്രകടനം ഉറപ്പാക്കുന്നതിനും, സേവന ആയുസ്സ് വർദ്ധിപ്പിക്കുന്നതിനും, പവർ ഇലക്ട്രോണിക് സിസ്റ്റങ്ങൾക്ക് വിശ്വസനീയമായ പിന്തുണ നൽകുന്നതിനുമായി കാര്യക്ഷമമായ ഒരു താപ വിസർജ്ജന ഘടന രൂപകൽപ്പന ചെയ്‌തിരിക്കുന്നു. അതേസമയം,MDP സീരീസ് കപ്പാസിറ്ററുകൾവലിപ്പത്തിൽ ഒതുക്കമുള്ളതും, ഉയർന്ന പവർ ഡെൻസിറ്റി ഉള്ളതും, സിസ്റ്റം സംയോജനവും കാര്യക്ഷമതയും മെച്ചപ്പെടുത്തുന്നതിനും, വലുപ്പവും ഭാരവും കുറയ്ക്കുന്നതിനും, ഉപകരണങ്ങളുടെ പോർട്ടബിലിറ്റിയും വഴക്കവും വർദ്ധിപ്പിക്കുന്നതിനും നൂതനമായ നേർത്ത-ഫിലിം നിർമ്മാണ പ്രക്രിയകൾ ഉപയോഗിക്കുന്നതുമാണ്.

YMIN ഇലക്ട്രോണിക്സ് DC-Link ഫിലിം കപ്പാസിറ്റർ സീരീസിന് dv/dt ടോളറൻസിൽ 30% പുരോഗതിയും സേവന ജീവിതത്തിൽ 30% വർദ്ധനവുമുണ്ട്, ഇത് SiC/IGBT സർക്യൂട്ടുകളുടെ വിശ്വാസ്യത മെച്ചപ്പെടുത്തുന്നു, മികച്ച ചെലവ്-ഫലപ്രാപ്തി നൽകുന്നു, വില പ്രശ്നം പരിഹരിക്കുന്നു.